小功率快充方案（基于自供电双绕组架构-RM671X系列）

背景介绍

随着快充技术的迅速发展，快速充电器已逐渐成为手机、平板等电子产品的标配。在当下这个电子产品供大于求的环境下，快充市场的竞争早已进入了白热化状态，各大充电器厂商要想赢得更多的市场份额，就需要技术创新来打破僵局。为了适应这种市场需求，亚成微高效率、低功耗、低成本的新一代快充PWM控制芯片671X系列（基于自供电双绕组架构）应运而生。

基于自供电双绕组架构—RM671X系列


芯片介绍

■ RM671X是一种采用新一代快充PWM控制技术（自供电双绕组架构）的离线式开关电源控制芯片，内置高压MOSFET及电流模式PWM+PFM控制器，满足六级能效标准。
■ RM671X内置高压启动电阻，专利技术为VCC供电（一种双绕组副边反馈开关电源，专利号：ZL201920052161.3），无需外部辅助绕组，节约设计成本。
■ RM671X芯片内置多种工作模式，在轻载情况下，芯片进入Burst mode模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；在待机模式下，电路进入打嗝模式，有效降低电路的待机功耗。内部集成斜坡补偿模块，有利于CCM模式下系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。
■ 芯片内部集成多种异常状态保护功能。在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，异常解除，恢复正常输出。

芯片优势

■ 采用专利VCC自供电技术（一种双绕组副边反馈开关电源，专利号：ZL201920052161.3），成功省去了主控芯片外围VCC辅助绕组及其相关整流电路，方案外围简单，易于电路设计

■ 内置高压MOS，集成高压启动

■ Burst Mode 模式去除噪音影响

■ 抖频改善EMI特性，超低待机功耗，满足六级能效标准

■ 多种保护功能：输出短路保护（SLP）、过流保护（OCP）、前沿消隐（LEB）、过热保护（OTP）、CS短路保护、输出二极管短路保护、过载及欠压保护等

■ 系统BOM成本优于同类型产品（省去变压器辅助绕组、Vcc整流二极管及电阻、LDO稳压电路、Vcc电解电容，减小PCB面积）

方案选型（18W～36W高精简快充方案）

【三】20W PD快速充电器应用方案（点击查看详细方案）